반도체 재료의 격자열전도도 분석
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 임종찬 | - |
dc.contributor.author | 양희선 | - |
dc.contributor.author | 김현식 | - |
dc.date.available | 2021-03-17T06:58:39Z | - |
dc.date.created | 2021-02-26 | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.issn | 1226-9360 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/11929 | - |
dc.description.abstract | 열전소재의 격자열전도도 저감은 열전성능 증대를 위해 가장 빈번하게 사용되는 방법이다. 하지만 전체 열전도도에서 다른 열전도도 기여분을 제외하는 방법으로만 격자열전도도를 구할 수 있기 때문에 격자열전도도를 정확하게분석하는 것을 간단한 작업이 아니다. 본 연구에서는 먼저 전자/홀에 의한 열전도도 기여분 (모든 소재 적용)과 쌍극 전도에 의한 기여분 (작은 밴드 갭 소재 적용)을 정확하게 계산해야만 격자열전도도를 정확하게 분석할 수 있음을 설명한다. 전자/홀에 의한 기여분을 계산하기 위해 필수적인 로렌츠 숫자 계산법 (싱글 파라볼릭 모델링 및 간단한 식 이용)과쌍극 전도에 의한 기여분 계산법 (투 밴드 모델링) 또한 소개한다. 격자열전도도의 정확한 분석은 격자열전도도 저감을위한 여러 결함 제어 전략의 효과를 객관적으로 평가할 수 있는 강력한 분석 도구로 사용될 수 있다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국마이크로전자및패키징학회 | - |
dc.title | 반도체 재료의 격자열전도도 분석 | - |
dc.title.alternative | Characterization of Lattice Thermal Conductivity in Semiconducting Materials | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 양희선 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김현식 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 마이크로전자 및 패키징학회지, v.27, no.4, pp.61 - 65 | - |
dc.relation.isPartOf | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.title | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.volume | 27 | - |
dc.citation.number | 4 | - |
dc.citation.startPage | 61 | - |
dc.citation.endPage | 65 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART002678508 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | thermoelectric | - |
dc.subject.keywordAuthor | Lorenz number | - |
dc.subject.keywordAuthor | lattice thermal conductivity | - |
dc.subject.keywordAuthor | bipolar thermal conductivity | - |
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