벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김정진 | - |
dc.contributor.author | 임종원 | - |
dc.contributor.author | 강동민 | - |
dc.contributor.author | 배성범 | - |
dc.contributor.author | 차호영 | - |
dc.contributor.author | 양전욱 | - |
dc.contributor.author | 이형석 | - |
dc.date.available | 2021-03-17T07:49:36Z | - |
dc.date.created | 2020-07-06 | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/12606 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 Normally-off GaN HEM구조를 만드는데 사용되는 이빔 리소그래피 미세패터닝 공정대신, 나노비드를 이용한 자체 정렬 된 허너콤형 패터닝 방법이 도입되었다. 허니 콤형 핀 게이트 채널 폭은 약 40-50nm이며, 이는 제안 된 방법으로 제조되며, 충분한 프린 징 전계 효과를 얻기 위해 미세한 폭으로 제조가 가능하다. 결과적으로, 본 연구에서 진행 된 GaN HEMT 소자의 임계 전압은 0.6V이고, Gm의 최대 정규 드레인 전류 및 트랜스 컨덕턴스는 각각 136.4mA / mm 및 99.4mS / mm 이었다. 허니 콤 채널의 핀 구조로 인해, 기존의 GaN HEMT 소자와 비교하여 더 작은 서브 임계 값 스윙(SS) 및 더 높은 Gm 피크 값을 얻게 되었다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
dc.title | 벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정 | - |
dc.title.alternative | Fabrication of Multi-Fin-Gate GaN HEMTs Using Honeycomb Shaped Nano-Channel | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 차호영 | - |
dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2020.33.1.16 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.33, no.1, pp.16 - 20 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 33 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.citation.startPage | 16 | - |
dc.citation.endPage | 20 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART002537667 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | GaN | - |
dc.subject.keywordAuthor | HEMTs | - |
dc.subject.keywordAuthor | Fin FET | - |
dc.subject.keywordAuthor | Fin-gate | - |
dc.subject.keywordAuthor | Normally-off | - |
dc.subject.keywordAuthor | High resolution patterning | - |
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