저온 수열 합성법에 의해 (1-102) 사파이어 기판상에 성장된 무분극 ZnO Layer 에 관한 연구Growth of Non-Polar a-plane ZnO Layer On R-plane (1-102) Sapphire Substrate by Hydrothermal Synthesis
- Other Titles
- Growth of Non-Polar a-plane ZnO Layer On R-plane (1-102) Sapphire Substrate by Hydrothermal Synthesis
- Authors
- 장주일; 오태성; 하준석
- Issue Date
- 2014
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Keywords
- Non-polar ZnO; Hydrothermal Synthesis; R-plane sapphire; AZO seed layer
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.21, no.4, pp.45 - 49
- Journal Title
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Volume
- 21
- Number
- 4
- Start Page
- 45
- End Page
- 49
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/16816
- DOI
- 10.6117/kmeps.2014.21.4.045
- ISSN
- 1226-9360
- Abstract
- 본 연구에서는 낮은 비용과 간단한 공정의 장점을 가지고 있는 저온수열합성법을 이용하여 r-plane (1-102)sapphire 기판 위에 non-polar a-plane ZnO 박막을 성장하였다. 일반적으로 nanorod 형태의 ZnO를 성장시키는 특성을 보이는 Hexamethylenetetramine (HMT)와 2D layer 형태의 ZnO를 성장특성을 보이는 것으로 알려진 sodium citrate, 두 가지 전구체를 동시에 첨가하여 성장 하였을 때 몰 농도의 변화에 따른 ZnO 성장 특성을 비교해 보았다. ZnO 구조체의 형태와 특성 변화에 대하여 field emission scanning electron microscope (FE-SEM), high resolution X-ray diffraction(HRXRD)을 이용하여 분석을 진행하였다. 결과적으로, 두 가지의 용액의 특정 몰 농도일 때 r-plane (1-102) sapphire 기판 위에서 non polar a-plane (11-20) ZnO 구조체가 성장 될 수 있음을 확인 하였다. 이는 첨가제 조건에 의하여 c축 성장을 억제시키고, 측면 성장을 촉진시키는 반응에 의한 것으로 생각된다.
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