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Intrinsic Cylindrical/Surrounding Gate SOI MOSFET의 I-V 특성 도출을 위한 해석적 모델Analytical Model for Deriving the I-V Characteristics of an Intrinsic Cylindrical Surrounding Gate MOSFET
- Other Titles
- Analytical Model for Deriving the I-V Characteristics of an Intrinsic Cylindrical Surrounding Gate MOSFET
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- intrinsic cylindrical/surrounding gate SOI MOSFET; I-V characteristics; drain current saturation
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.48, no.10, pp.54 - 61
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 48
- Number
- 10
- Start Page
- 54
- End Page
- 61
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 intrinsic-body cylindrical/surrounding gate SOI MOSFET의 I-V 특성 도출을 위한 간단한 해석적 모델을제시하였다. Intrinsic 실리콘 채널 영역에서의 Poisson 방정식과 gate oxide 내에서의 Laplace 방정식을 해석적으로 풀어 소스와 드레인 양단 끝에서의 표면 전위 분포를 bisection method를 이용하여 구하였다. 구해진 표면 전위를 바탕으로 closed-form 의 I-V 특성 식을 도출하였다. 도출된 I-V 특성 표현 식을 모의 실험한 결과, 소자의 parameter와 가해진 bias 전압에 대한비교적 정확한 의존성을 확인할 수 있었다.
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