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데이터 무결성을 보장하는 플래시 저장 장치에서 잦은 쓰기 참조 흡수가 플래시 변환 계층에 미치는 영향The Effect of Absorbing Hot Write References on FTLs for Flash Storage Supporting High Data Integrity
- Other Titles
- The Effect of Absorbing Hot Write References on FTLs for Flash Storage Supporting High Data Integrity
- Issue Date
- 2010
- Publisher
- 한국정보과학회
- Keywords
- Flash memory; FTL; NVRAM; Write cache; 플래시 변환 계층; 비휘발성 램; 쓰기 캐시
- Citation
- 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지, v.16, no.3, pp.336 - 340
- Journal Title
- 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
- Volume
- 16
- Number
- 3
- Start Page
- 336
- End Page
- 340
- ISSN
- 2383-6318
- Abstract
- 플래시 저장장치는 컴퓨팅 시스템에서 휴대용 저장매체로 각광 받고 있다. 플래시 저장장치의 착탈성을 고려해 보면, 데이터의 무결성이 중요한 이슈로 부각된다. 본 연구는 데이터 무결성을 보장하려는 파일시스템 동작이 플래시 변환 계층(FTL) 기법들의 성능에 미치는 영향에 주목한다. 본 연구에서는 파일시스템이 데이터 무결성을 보장하기 위해서 발생시킨 잦은 쓰기 참조가 플래시 저장장치에 미치는 영향에 대해서 살펴본다. 또한, 비휘발성 램을 이용한 잦은 쓰기 참조의 흡수가 플래시 저장장치 내의 FTL 성능에 미치는 영향을 살펴본다. 실제 시스템 환경에서 실시된 성능 평가 결과는 잦은 쓰기 참조가 포함된 워크로드들에서 FTL 성능이 기존 연구에서 제시된 결과와 상이할 수 있음을 보여준다. 이와 더불어, 비휘발성 램을 이용하여 잦은 쓰기 참조를 흡수함으로써 FTL 기법들이 플래시 저장장치의 성능에 미치는 영향이 완화됨을 실험 결과를 통해서 알 수 있다.
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Collections - College of Engineering > Computer Engineering Major > 1. Journal Articles
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