Cu 범프와 Sn 범프의 접속구조를 이용한 RF 패키지용 플립칩 공정
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최정열 | - |
dc.contributor.author | 오태성 | - |
dc.contributor.author | 김민영 | - |
dc.contributor.author | 임수겸 | - |
dc.date.accessioned | 2022-01-03T06:42:58Z | - |
dc.date.available | 2022-01-03T06:42:58Z | - |
dc.date.created | 2021-12-28 | - |
dc.date.issued | 2009 | - |
dc.identifier.issn | 1226-9360 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/22167 | - |
dc.description.abstract | Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 접속부는 솔더범프 접속부에 비해 칩과 기판 사이의 거리를 감소시키지 않 으면서 미세피치 접속이 가능하기 때문에, 특히 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판 사이의 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서 유용한 칩 접속공정이다. 본 논문에서는 칩에는 Cu pillar 범프, 기판에는 Sn 범프를 전기도금하고 이들을 플립칩 본딩하여 Cu pillar 범프 접속부를 형성한 후, Sn 전기도금 범프의 높이에 따른 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항 과 칩 전단하중을 측정하였다. 전기도금한 Sn 범프의 높이를 5 μm에서 30 μm로 증가시킴에 따라 Cu pillar 범프 접속부 의 접속저항이 31.7 mΩ에서 13.8 mΩ로 향상되었으며, 칩 전단하중이 3.8 N에서 6.8 N으로 증가하였다. 반면에 접속부 의 종횡비는 1.3에서 0.9로 저하하였으며, 접속부의 종횡비, 접속저항 및 칩 전단하중의 변화거동으로부터 Sn 전기도금 범프의 최적 높이는 20 μm로 판단되었다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국마이크로전자및패키징학회 | - |
dc.title | Cu 범프와 Sn 범프의 접속구조를 이용한 RF 패키지용 플립칩 공정 | - |
dc.title.alternative | Flip Chip Process for RF Packages Using Joint Structures of Cu and Sn Bumps | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 오태성 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 마이크로전자 및 패키징학회지, v.16, no.3, pp.67 - 73 | - |
dc.relation.isPartOf | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.title | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.volume | 16 | - |
dc.citation.number | 3 | - |
dc.citation.startPage | 67 | - |
dc.citation.endPage | 73 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001383712 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Cu pillar bump | - |
dc.subject.keywordAuthor | Sn bump | - |
dc.subject.keywordAuthor | flip chip | - |
dc.subject.keywordAuthor | contact resistance | - |
dc.subject.keywordAuthor | chip shear force | - |
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