Cu 범프와 Sn 범프의 접속구조를 이용한 RF 패키지용 플립칩 공정Flip Chip Process for RF Packages Using Joint Structures of Cu and Sn Bumps
- Other Titles
- Flip Chip Process for RF Packages Using Joint Structures of Cu and Sn Bumps
- Authors
- 최정열; 오태성; 김민영; 임수겸
- Issue Date
- 2009
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Keywords
- Cu pillar bump; Sn bump; flip chip; contact resistance; chip shear force
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.16, no.3, pp.67 - 73
- Journal Title
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Volume
- 16
- Number
- 3
- Start Page
- 67
- End Page
- 73
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/22167
- ISSN
- 1226-9360
- Abstract
- Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 접속부는 솔더범프 접속부에 비해 칩과 기판 사이의 거리를 감소시키지 않
으면서 미세피치 접속이 가능하기 때문에, 특히 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판 사이의 큰 거리가 요구되는
RF 패키지에서 유용한 칩 접속공정이다. 본 논문에서는 칩에는 Cu pillar 범프, 기판에는 Sn 범프를 전기도금하고 이들을
플립칩 본딩하여 Cu pillar 범프 접속부를 형성한 후, Sn 전기도금 범프의 높이에 따른 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항
과 칩 전단하중을 측정하였다. 전기도금한 Sn 범프의 높이를 5 μm에서 30 μm로 증가시킴에 따라 Cu pillar 범프 접속부
의 접속저항이 31.7 mΩ에서 13.8 mΩ로 향상되었으며, 칩 전단하중이 3.8 N에서 6.8 N으로 증가하였다. 반면에 접속부
의 종횡비는 1.3에서 0.9로 저하하였으며, 접속부의 종횡비, 접속저항 및 칩 전단하중의 변화거동으로부터 Sn 전기도금
범프의 최적 높이는 20 μm로 판단되었다.
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