Study on the Top-Gate Pentacene Thin Film ransistors Using Solution Processing Polymeric Gate InsulatorStudy on the Top-Gate Pentacene Thin Film ransistors Using Solution Processing Polymeric Gate Insulator
- Other Titles
- Study on the Top-Gate Pentacene Thin Film ransistors Using Solution Processing Polymeric Gate Insulator
- Authors
- 형건우; 김준호; 서지훈; 서지현; 구자룡; 박재훈; 정용우; 김유현; 김영관
- Issue Date
- 2008
- Publisher
- 한국응용과학기술학회
- Keywords
- top-gate structure; organic thin-film transistor (OTFT); polymeric insulator
- Citation
- 한국응용과학기술학회지, v.25, no.3, pp.388 - 394
- Journal Title
- 한국응용과학기술학회지
- Volume
- 25
- Number
- 3
- Start Page
- 388
- End Page
- 394
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/23023
- ISSN
- 1225-9098
- Abstract
- 본 논문에서는 용액 공정을 이용한 고분자 절연층을 갖는 top-gate 구조의 펜타센 박
막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)의 특성을 연구하였다. Top-gate 구조의 펜타센 TFT
제작에 앞서 유기 반도체인 펜타센의 결정성 성장을 돕기 위해서 가교된 PVP (cross-linked
poly(4-vinylphenol))를 유리 기판 상에 스핀 코팅을 이용하여 형성한 후, 노광 공정을 통해 니켈/은
구조를 갖는 채널 길이 10 ㎛의 소오스, 드레인 전극을 형성하였다. 그리고 열 증착을 이용하여 60
nm 두께의 펜타센 층을 성막하였고, 고분자 절연체로서 PVA(polyvinyl alchol) 또는 가교된 PVA를
용액공정인 스핀 코팅을 이용하여 형성한 후 열 증착으로 알루미늄 게이트 전극을 성막하였다. 이로
써 제작된 소자들의 전기적 특성을 확인한 결과 가교된 PVA를 사용한 펜타센 TFT 보다 PVA를
게이트 절연체로 사용한 소자가 전기적 특성이 우수한 것으로 관찰되었다. 이는 PVA의 가교 공정
에 의한 펜타센 박막의 성능 퇴화에 기인한 것으로 사료된다. 실험 결과 0.9 ㎛ 두께의 PVA 게이트
절연막을 사용한 top-gate 구조의 펜타센 TFT의 전계 효과 이동도와 문턱전압, 그리고 전류 점멸비
는 각각, 약 3.8×10-3 cm2/Vs, -11.5 V, 3×105으로써 본 연구에서 제안된 소자가 용액 공정형
top-gate 유기 TFT 소자로서 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있었다.
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