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Cu 머쉬룸 범프를 적용한 플립칩 접속부의 접속저항

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dc.contributor.author박선희-
dc.contributor.author오태성-
dc.date.accessioned2022-01-13T07:42:47Z-
dc.date.available2022-01-13T07:42:47Z-
dc.date.created2022-01-04-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.issn1226-9360-
dc.identifier.urihttps://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/23027-
dc.description.abstract전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. 19.1~95.2 MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu 머쉬룸 범프 접속부는 15 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu 머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar 범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 1~w4 μm 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나, 캡 표면의 Sn 코팅층을 리플로우 처리한 Cu 머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다.-
dc.language한국어-
dc.language.isoko-
dc.publisher한국마이크로전자및패키징학회-
dc.titleCu 머쉬룸 범프를 적용한 플립칩 접속부의 접속저항-
dc.title.alternativeContact Resistance of the Flip-Chip Joints Processed with Cu Mushroom Bumps-
dc.typeArticle-
dc.contributor.affiliatedAuthor오태성-
dc.identifier.bibliographicCitation마이크로전자 및 패키징학회지, v.15, no.3, pp.9 - 17-
dc.relation.isPartOf마이크로전자 및 패키징학회지-
dc.citation.title마이크로전자 및 패키징학회지-
dc.citation.volume15-
dc.citation.number3-
dc.citation.startPage9-
dc.citation.endPage17-
dc.type.rimsART-
dc.identifier.kciidART001284896-
dc.description.journalClass2-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.subject.keywordAuthorFlip chip-
dc.subject.keywordAuthorMushroom bump-
dc.subject.keywordAuthorNCA-
dc.subject.keywordAuthorelectrodeposition-
dc.subject.keywordAuthorcontact resistance-
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College of Engineering > Materials Science and Engineering Major > 1. Journal Articles

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