Cu 머쉬룸 범프를 적용한 플립칩 접속부의 접속저항
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 박선희 | - |
dc.contributor.author | 오태성 | - |
dc.date.accessioned | 2022-01-13T07:42:47Z | - |
dc.date.available | 2022-01-13T07:42:47Z | - |
dc.date.created | 2022-01-04 | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.issn | 1226-9360 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/23027 | - |
dc.description.abstract | 전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. 19.1~95.2 MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu 머쉬룸 범프 접속부는 15 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu 머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar 범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 1~w4 μm 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나, 캡 표면의 Sn 코팅층을 리플로우 처리한 Cu 머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국마이크로전자및패키징학회 | - |
dc.title | Cu 머쉬룸 범프를 적용한 플립칩 접속부의 접속저항 | - |
dc.title.alternative | Contact Resistance of the Flip-Chip Joints Processed with Cu Mushroom Bumps | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 오태성 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 마이크로전자 및 패키징학회지, v.15, no.3, pp.9 - 17 | - |
dc.relation.isPartOf | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.title | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.volume | 15 | - |
dc.citation.number | 3 | - |
dc.citation.startPage | 9 | - |
dc.citation.endPage | 17 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001284896 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Flip chip | - |
dc.subject.keywordAuthor | Mushroom bump | - |
dc.subject.keywordAuthor | NCA | - |
dc.subject.keywordAuthor | electrodeposition | - |
dc.subject.keywordAuthor | contact resistance | - |
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