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비정질 실리콘의 고온 고상 결정화Solid Phase Crystallization Kinetics of Amorphous Silicon at High Temperatures
- Other Titles
- Solid Phase Crystallization Kinetics of Amorphous Silicon at High Temperatures
- Issue Date
- 2008
- Publisher
- 한국표면공학회
- Keywords
- Solid phase crystallization; Polycrystalline silicon; Kinetics; Nucleation; 비정질 실리콘; 실리콘 웨이퍼
- Citation
- 한국표면공학회지, v.41, no.2, pp.48 - 50
- Journal Title
- 한국표면공학회지
- Volume
- 41
- Number
- 2
- Start Page
- 48
- End Page
- 50
- ISSN
- 1225-8024
- Abstract
- 비정질 실리콘의 고상 결정화는 열적으로 취약한 유리를 기판으로 사용하는 평판디스플레이 응용에 쓰이기 때문에 주로 600℃ 근처의 온도에서 수행한다. 본 연구에서는 실리콘 웨이퍼를 사용하여 600℃ 보다 높은 온도에서 고상 결정화 실험을 수행하였다. 실리콘의 고상 결정화 속도는 핵생성에 의해 좌우된다. 고상 결정화 시 핵생성에 필요한 열적 활성화 에너지가 매우 높은 값을 갖기 때문에 높은 온도 영역에서의 고상 결정화 속도는 현격하게 빨라진다. 본 논문에서는 고온에서의 고상 결정화 속도를 저온에서의 거동과 비교하고자 하였다.
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