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Investigation of Top-Contact Organic Field Effect Transistors by the Treatment Using the VDP Process on DielectricInvestigation of Top-Contact Organic Field Effect Transistors by the Treatment Using the VDP Process on Dielectric
- Other Titles
- Investigation of Top-Contact Organic Field Effect Transistors by the Treatment Using the VDP Process on Dielectric
- Issue Date
- 2007
- Publisher
- 한국응용과학기술학회
- Keywords
- organic thin-film transistor (OTFT); vapor deposition polymerization (VDP); adhesion layer.1. IntroductionThe electrical performances of organic thin-film transistors (OTFTs) have been improved for the last decade. Inorganic materials have been gene; organic thin-film transistor (OTFT); vapor deposition polymerization (VDP); adhesion layer.1. IntroductionThe electrical performances of organic thin-film transistors (OTFTs) have been improved for the last decade. Inorganic materials have been gene
- Citation
- 한국응용과학기술학회지, v.24, no.1, pp.54 - 60
- Journal Title
- 한국응용과학기술학회지
- Volume
- 24
- Number
- 1
- Start Page
- 54
- End Page
- 60
- ISSN
- 1225-9098
- Abstract
- 이 논문에서는 게이트 절연막 위에 vapor deposition polymerization(VDP)방법을 사용하여 성막한 유기 점착층을 진공 열증착하여 유기 박막 트렌지스터(OTFTs)소자를 제작할 수 있음을 증명하였다. 우리가 제작한 Staggered-inverted top-contact 구조를 사용한 유기 박막 트랜지스터는 전기적 output 특성이 포화 영역안에서는 포화곡선을, triode 영역에서는 비선형적인 subthreshold를 확실히 볼 수 있음을 발견했다. 0.2㎛ 두께를 가진 게이트 절연막위에 유기 점착층을 사용한 OTFTs의 장 효과 정공의 이동도와 문턱전압, 그리고 점멸비는 각각, 약 0.4 cm2/Vs, -0.8V, 106 이 측정되었다. 게이트 절연막의 점착층으로써 폴리이미드의 성막을 위해, 스핀코팅 방법 대신 VDP방법을 도입하였다. 폴리이미드 고분자막은 2,2bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride(6FDA)와 4,4'-oxydianiline(ODA)을 고진공에서 동시에 열 증착 시킨 후, 그리고 150℃에서 1시간, 다시 200℃에서 1시간 열처리하여 고분자화된 막을 형성하였다. 그리고 점착층이 OTFTs의 전기적 특성에 주는 영향을 설명하기 위해 비교 연구하였다.
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Related Researcher
- Kim, Young Kwan
- Engineering (Applied Science)