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Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용Interconnection 공정Interconnection Processes Using Cu Viasfor MEMS Sensor Packages
- Other Titles
- Interconnection Processes Using Cu Viasfor MEMS Sensor Packages
- Issue Date
- 2007
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Keywords
- MEMS; Cu via; electrodeposition; interconnection; current density; MEMS; Cu via; electrodeposition; interconnection; current density
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.14, no.4, pp.63 - 69
- Journal Title
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Volume
- 14
- Number
- 4
- Start Page
- 63
- End Page
- 69
- ISSN
- 1226-9360
- Abstract
- Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페 이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비 아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 20mA/cm2와 30mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 200 μm, 깊이 350 μm인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선 라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.
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