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2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델An Analytical Model for the Derivation of the I-V Characteristics of a Short Channel InAlAs/InGaAs HEMT by Solving Two-Dimensional Poisson's Equation
- Other Titles
- An Analytical Model for the Derivation of the I-V Characteristics of a Short Channel InAlAs/InGaAs HEMT by Solving Two-Dimensional Poisson's Equation
- Issue Date
- 2007
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- HEMT Modeling; short channel HEMT; InAlAs/InGaAs HEMT; I-V Characteristics; HEMT Modeling; short channel HEMT; InAlAs/InGaAs HEMT; I-V Characteristics
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.44, no.5, pp.21 - 28
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 44
- Number
- 5
- Start Page
- 21
- End Page
- 28
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 2차원 Poisson 방정식의 풀이에 의한 submicron 급 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델을 제안하였다. InAlAs 및 InGaAs층 내에서 2차원 Poisson 방정식의 해법으로 2차원적 전위 변화를 채널 전류의 연속조건과 consistent하게 도출하기 위해서 InGaAs 영역에 형성된 양자우물 형태의 채널을 통해 흐르는 전자에 대한 전계-의존 이동도를 고려하였다. 도출된 표현식은 동작 전압 전 구간의 영역과 장/단 채널 소자에 대하여 일괄적으로 적용될 수 있을 것으로 보이며, 본 논문에서 제안한 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 2차원 전계 효과에 대한 해석적 모델은 기존의 모델에서 submicron 대의 짧은 채널 길이일 때 정확도가 저하되거나 Early 효과에 대한 설명이 미흡한 것에 비해 드레인 전압의 증가에 따른 드레인 포화 전류의 증가 및 문턱전압의 감소 현상 등을 보다 물리적으로 적절히 설명할 수 있음을 보이고 있다.
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