Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
단채널 GaAs MESFET의 DC 특성 및 광전류 특성의 해석적 모델에 대한 연구
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김정문 | - |
| dc.contributor.author | 서정하 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-03-14T08:45:10Z | - |
| dc.date.available | 2022-03-14T08:45:10Z | - |
| dc.date.created | 2022-03-14 | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/26405 | - |
| dc.description.abstract | 본 연구는 게이트 매몰형 단채널 GaAs MESFET의 암전류 특성과 광전류 특성을 해석적으로 모델링하였다. 모델링 결과, 광조사에 의한 중성영역내의 광 전도도의 증가 보다 공핍층 내의 광 기전력 발생에 따른 공핍층 폭의 감소효과로 인한 드레인전류의 증가가 크게 일어남을 보이고 있다. 중성영역의 케리어 밀도 변화는 1차원 케리어 연속 방정식으로부터 도출하였으며, 광 기전력 도출은 게이트-공핍층 경계면의 광전류와 열전자 방출전류가 상쇄되는 조건으로 도출하였다. 드레인전압 인가에 따른 단채널 소자의 채널 방향의 전계효과를 고려한 2차원 Poisson 방정식의 해법을 제안하였다. 모델링 결과를 시뮬레이션한 결과, 적절한 암전류 및 광전류 특성에 대한 통합적 모델이 얻어짐을 확인하였다. | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | 단채널 GaAs MESFET의 DC 특성 및 광전류 특성의 해석적 모델에 대한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Analytical Modeling for Dark and Photo Current Characteristics of Short Channel GaAs MESFETs | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 서정하 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.41, no.03, pp.189 - 204 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.volume | 41 | - |
| dc.citation.number | 03 | - |
| dc.citation.startPage | 189 | - |
| dc.citation.endPage | 204 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001182407 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | GaAs MESFET/ OPFET 광특성 | - |
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.