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단채널 GaAs MESFET의 DC 특성 및 광전류 특성의 해석적 모델에 대한 연구Analytical Modeling for Dark and Photo Current Characteristics of Short Channel GaAs MESFETs
- Other Titles
- Analytical Modeling for Dark and Photo Current Characteristics of Short Channel GaAs MESFETs
- Issue Date
- 2004
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- GaAs MESFET/ OPFET 광특성
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.41, no.03, pp.189 - 204
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 41
- Number
- 03
- Start Page
- 189
- End Page
- 204
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 연구는 게이트 매몰형 단채널 GaAs MESFET의 암전류 특성과 광전류 특성을 해석적으로 모델링하였다. 모델링 결과, 광조사에 의한 중성영역내의 광 전도도의 증가 보다 공핍층 내의 광 기전력 발생에 따른 공핍층 폭의 감소효과로 인한 드레인전류의 증가가 크게 일어남을 보이고 있다. 중성영역의 케리어 밀도 변화는 1차원 케리어 연속 방정식으로부터 도출하였으며, 광 기전력 도출은 게이트-공핍층 경계면의 광전류와 열전자 방출전류가 상쇄되는 조건으로 도출하였다. 드레인전압 인가에 따른 단채널 소자의 채널 방향의 전계효과를 고려한 2차원 Poisson 방정식의 해법을 제안하였다. 모델링 결과를 시뮬레이션한 결과, 적절한 암전류 및 광전류 특성에 대한 통합적 모델이 얻어짐을 확인하였다.
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