Redundancy Cell Programming이 용이한 병렬 I/O DRAM BISTParallel I/O DRAM BIST for easy redundancy programming
- Other Titles
- Parallel I/O DRAM BIST for easy redundancy programming
- Authors
- 유재희; 河昌佑
- Issue Date
- 2002
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- DRAM; BIST; redundancy 프로그래밍; defect 셀; 테스트; DRAM; BIST; redundancy 프로그래밍; defect 셀; 테스트
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.39, no.12, pp.22 - 32
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 39
- Number
- 12
- Start Page
- 22
- End Page
- 32
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/26923
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 테스트와 동시에 오류 비트의 수와 위치를 파악하도록 하여 redundancy 프로그래밍이 용이한 다수 비트 출력 DRAM을 위한 BIST 구조가 소개되었다. 일반적으로, DRAM 셀이 n개의 블록으로 구성된 경우에, 단지 n개의 비교기와 한 개의 3가지 상태 엔코더를 사용하여, 무오류 상태, 한 개의 오류가 있을 경우, 오류 상태 및 오류비트가 존재하는 블록의 위치, 두개의 블록에 오류가 있을 경우 오류 상태 등 총 n + 2개의 상태를 나타낼 수 있다. 제안된 방법을 통하여, 두개 이상의 블록에 오류가 있을 경우, 오류 비트의 위치와 수를 파악하는 방법으로 용이하게 확장 구현가능하다. 8블록으로 구성된 64MEG DRAM 경우의 성능 비교 결과 단지 0.115%의 칩 면적 증가로, 테스트 및 redundancy 프로그래밍 시간이 1/750로 감소하였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electronic & Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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