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1.55㎛파장에서 높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InP Ridge 도파로 위상 변조기InGaAsP/InP Ridge Waveguide Phase Modulator with a High Phase-modulation Efficiency at 1.55㎛
- Other Titles
- InGaAsP/InP Ridge Waveguide Phase Modulator with a High Phase-modulation Efficiency at 1.55㎛
- Issue Date
- 2002
- Publisher
- 한국물리학회
- Keywords
- Phase modulator; P-p-n-N ridge wavegudie; InGaAsP/InP wavegudie; InGaAsP/InP 광도파로; 광위상변조기; 위상변조효율
- Citation
- 새물리, v.45, no.4, pp.271 - 276
- Journal Title
- 새물리
- Volume
- 45
- Number
- 4
- Start Page
- 271
- End Page
- 276
- ISSN
- 0374-4914
- Abstract
- 1.55 micrometer파장에서 동작하는 단일모드 P-p-n-N InGaAsP/InP ridge 도파로 위상변조기가 제안되었다. 단일모드 ridge 도파로 구조는 빔 전파 방법(BPM)을 이용하여 설계되고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 성장기법과 화학적인 습식 식각 방법을 이용하여 제작되었다. 제작된 ridge 도파로 위상변조기의 위상변조 효율은 파장을 변화시켜 가면서 Fabry-Perot 간섭 방법으로 측정되었다. 0V 에서 측정된 간섭무늬로부터 0.185 nanometer 의 Fabry-Perot 무늬 간격(delta lambda _FP)이 얻어졌다. 위상변조기의 길이가 2 milimeter 일 때 측정된 TE 모드의 위상변조 효율은 34 degree/Vmm로 높게 얻어졌다. 이 위상 변조 효율은 1.5 micrometer 파장영역을 이용하여 역 바이어스된 InGaAsP/InP 위상변조기들에서 보고된 가장 큰 실험 값이다.
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Related Researcher
- Yi, Jong Chang
- Engineering (Electronic & Electrical Engineering)