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Si2H6와 H2 가스를 이용한 LPCVD내에서의 선택적 Si 에피텍시 성장에 미치는 산소의 영향The effects of oxygen on selective Si epitaxial growth using disilane ane hydrogen gas in low pressure chemical vapor deposition
- Other Titles
- The effects of oxygen on selective Si epitaxial growth using disilane ane hydrogen gas in low pressure chemical vapor deposition
- Issue Date
- 2002
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.11, no.1, pp.16 - 21
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 11
- Number
- 1
- Start Page
- 16
- End Page
- 21
- ISSN
- 1225-8822
- Abstract
- Si2H6와 H2 가스를 이용한 LPCVD내에서의 실리콘의 선택적 에피텍시 성장을 1000℃ 이하의 초청정 분위기하의 저온에서 수행하였다. HCl 첨가없이 초청정 공정으로 인한 양질의 에피텍시 Si층이 균일하게 얻어 졌으며, SiO2 위에 증착된 실리콘의 잠복기를 발견할 수 있었다. 단결정위의 에피텍시 층은 산화물 층위 보다 더 두껍게 증착되었다. 산소첨가로 잠복기가 20∼30초간 증가하였다. 증착된 박막의 절단면과 표면 형상은 SEM으로 관찰되었으며, XRD를 통해 막질을 평가하였다.
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