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P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로A Voltage Programming AMOLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of p-channel Poly-Si TFTs
- Other Titles
- A Voltage Programming AMOLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of p-channel Poly-Si TFTs
- Authors
- 정훈주
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국정보기술학회
- Keywords
- AMOLED; voltage programming method; p-channel poly-si TFT; threshold voltage variation; AMOLED; voltage programming method; p-channel poly-si TFT; threshold voltage variation
- Citation
- 한국정보기술학회논문지, v.11, no.3, pp 19 - 25
- Pages
- 7
- Journal Title
- 한국정보기술학회논문지
- Volume
- 11
- Number
- 3
- Start Page
- 19
- End Page
- 25
- ISSN
- 1598-8619
- Abstract
- 본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T2C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 2개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화 구간, 문턱전압 감지 구간, 데이터 기입 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 0.25V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 1.67%이였고 구동 트랜지스터의 문턱전압이 0.50V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 3.57%였다. 따라서 제안한 6T2C 화소회로는 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.
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Collections - School of Electronic Engineering > 1. Journal Articles
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