Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압변동을 보상할 수 있는 5-TFT OLED 화소회로5-TFT OLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of p-channel Poly-Si TFTs
- Other Titles
- 5-TFT OLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of p-channel Poly-Si TFTs
- Authors
- 정훈주
- Issue Date
- 2014
- Publisher
- 한국전자통신학회
- Keywords
- AMOLED Display; Voltage Programming Pixel Circuit; P-channel Poly-Si TFT; Threshold Voltage Variation; AMOLED 디스플레이; 전압 기입형 화소 회로; p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터; 문턱전압 변동
- Citation
- 한국전자통신학회 논문지, v.9, no.3, pp 279 - 284
- Pages
- 6
- Journal Title
- 한국전자통신학회 논문지
- Volume
- 9
- Number
- 3
- Start Page
- 279
- End Page
- 284
- ISSN
- 1975-8170
- Abstract
- 본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 5-TFT OLED 화소회로는 4개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화구간, 문턱전압 감지 및 데이터 기입 구간, 데이터 유지 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.25V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 -4.06%이였고 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.50V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 9.74%였다. 따라서 제안한 5T1C화소회로는 p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동에 둔감하여 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - School of Electronic Engineering > 1. Journal Articles
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.