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InP/ZnSe/ZnS 양자점을 이용한 QD-LED의 전기 및 광학적 특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최재건 | - |
| dc.contributor.author | 문대규 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-12T00:24:36Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-12T00:24:36Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-3258 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/sch/handle/2021.sw.sch/12970 | - |
| dc.description.abstract | InP/ZnSe/ZnS multi-shell 양자점 발광층을 이용하여 양자점 양자점 발광다이오드(QD-LED)를 개발하였다. 유기 정공수송층/QD/유기 전자수송층 구조를 이용하여 QD-LED를 제작하였다. Poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine)(poly-TPD)와 tris [2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl) phenyl]borane (3TPYMB)를 각각 정공수송층과 전자수송층으로 사용하였으며, 3TPYMB 층의 두께를 50, 65로 하여 제작된 QD-LED의 발광 특성, 전류 효율 특성, 구동 특성을 조사하였다. 50 nm의 3TPYMB 층을 사용하여 제작된 QD-LED는 최대 1.3 cd/A의 전류 효율을 나타내었다. | - |
| dc.format.extent | 5 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | InP/ZnSe/ZnS 양자점을 이용한 QD-LED의 전기 및 광학적 특성 | - |
| dc.title.alternative | Electrical and Optical Characteristics of QD-LEDs Using InP/ZnSe/ZnS Quantum Dot | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2014.27.3.151 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.27, no.3, pp 151 - 155 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 27 | - |
| dc.citation.number | 3 | - |
| dc.citation.startPage | 151 | - |
| dc.citation.endPage | 155 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001856949 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Quantum dot | - |
| dc.subject.keywordAuthor | QD-LED | - |
| dc.subject.keywordAuthor | InP/ZnSe/ZnS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Poly-TPD | - |
| dc.subject.keywordAuthor | 3TPYMB | - |
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Related Researcher
- Moon, Dae Gyu
- College of Engineering (Department of Display Materials Engineering)