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InP/ZnSe/ZnS 양자점을 이용한 QD-LED의 전기 및 광학적 특성Electrical and Optical Characteristics of QD-LEDs Using InP/ZnSe/ZnS Quantum Dot
- Other Titles
- Electrical and Optical Characteristics of QD-LEDs Using InP/ZnSe/ZnS Quantum Dot
- Issue Date
- 2014
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Quantum dot; QD-LED; InP/ZnSe/ZnS; Poly-TPD; 3TPYMB
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.27, no.3, pp 151 - 155
- Pages
- 5
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 27
- Number
- 3
- Start Page
- 151
- End Page
- 155
- ISSN
- 1226-7945
2288-3258
- Abstract
- InP/ZnSe/ZnS multi-shell 양자점 발광층을 이용하여 양자점 양자점 발광다이오드(QD-LED)를 개발하였다. 유기 정공수송층/QD/유기 전자수송층 구조를 이용하여 QD-LED를 제작하였다. Poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine)(poly-TPD)와 tris [2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl) phenyl]borane (3TPYMB)를 각각 정공수송층과 전자수송층으로 사용하였으며, 3TPYMB 층의 두께를 50, 65로 하여 제작된 QD-LED의 발광 특성, 전류 효율 특성, 구동 특성을 조사하였다. 50 nm의 3TPYMB 층을 사용하여 제작된 QD-LED는 최대 1.3 cd/A의 전류 효율을 나타내었다.
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Related Researcher
- Moon, Dae Gyu
- College of Engineering (Department of Display Materials Engineering)