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IGZO 박막트랜지스터의 동작특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이호년 | - |
| dc.contributor.author | 김형중 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-12T07:31:15Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-12T07:31:15Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-17 | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.issn | 1975-4701 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/sch/handle/2021.sw.sch/18434 | - |
| dc.description.abstract | IGZO (indium gallium zinc oxide) 박막트랜지스터는, 활성층 채널의 폭과 길이의 비가 고정된 경우에도, 채널 길이가 길어지면 게이트전압에 대한 드레인 전류의 특성곡선이 양의 전압 방향으로 이동하고 전계효과이동도는 낮아졌다. 채널의 길이와 폭이 고정된 상태에서는, 드레인이 전압 높은 경우에 전계효과이동도가 낮고 문턱아래 기울기가 큰 특성을 보였다. 이러한 현상은 IGZO 채널층의 일함수가 커서 소스/드레인 전극과 채널층의 접합부 띠굽음이 규소반도체의 경우와 반대방향으로 나타나는 것에 기인하는 것으로 해석된다. | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국산학기술학회 | - |
| dc.title | IGZO 박막트랜지스터의 동작특성 | - |
| dc.title.alternative | Operation characteristics of IGZO thin-film transistors | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 이호년 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 한국산학기술학회논문지, v.11, no.5, pp.1592 - 1596 | - |
| dc.relation.isPartOf | 한국산학기술학회논문지 | - |
| dc.citation.title | 한국산학기술학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 11 | - |
| dc.citation.number | 5 | - |
| dc.citation.startPage | 1592 | - |
| dc.citation.endPage | 1596 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001446741 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | IGZO | - |
| dc.subject.keywordAuthor | TFT | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Channel Length | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Drain Bias | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Mobility | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Subthreshold Slope | - |
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- Lee, Ho nyeon
- College of Engineering (Department of Display and Electronic Information Engineering)