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비정질 인듐-갈륨-아연 산화물 기반 박막 트랜지스터의 NBIS 불안정성 개선을 위한 연구동향Research Trends for Improvement of NBIS Instability in Amorphous In-Ga-ZnO Based Thin-Film Transistors
- Other Titles
- Research Trends for Improvement of NBIS Instability in Amorphous In-Ga-ZnO Based Thin-Film Transistors
- Issue Date
- 2019
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Oxide semiconductor; Thin-film transistor; IGZO; Bias stress; NBIS
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.32, no.5, pp.371 - 375
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 32
- Number
- 5
- Start Page
- 371
- End Page
- 375
- ISSN
- 1226-7945
- Abstract
- 차세대 디스플레이에 요구되는 핵심 요소인 대면적, 고이동도 및 고 신뢰성과 같은 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 개발하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 디스플레이 분야에서 가장 많이 연구되고있는 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터의 신뢰성 향상에 관한 연구 동향을 조사 하였다. 고압의 산소 분위기에서 열처리를 진행하면 NBIS에서 임계전압의 이동이 -7.1 V에서 -1.9 V로 감소한다고 보고되었다. 그리고 SiO2/Si3N4 이중 구조를 갖는 소자(-0.82 V)는 단일 게이트 절연체 기반 소자(-11.6 V)보다 NBIS 환경에서 낮은 임계전압을 갖는다. 서로 다른 산소분압을 갖는 이중 채널 구조는 NBIS 하에서 안정한 임계전압을 갖는 것으로 확인되었다. 이러한 연구들은 NBIS 문제를 개선하기 위한 더 나은 연구를 위해 고려될 수 있다.
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Related Researcher
- YI, JUN SIN
- Information and Communication Engineering (Electronic and Electrical Engineering)