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0.18-μm CMOS 공정을 이용한 6～18 GHz 8-비트 실시간 지연 회로 설계open accessDesign of a 6～18 GHz 8-Bit True Time Delay Using 0.18-μm CMOS
- Other Titles
- Design of a 6～18 GHz 8-Bit True Time Delay Using 0.18-μm CMOS
- Issue Date
- 2017
- Publisher
- 한국전자파학회
- Keywords
- CMOS; True Time Delay; Single-Pole Double-Throw; Double-Pole Double-Throw; m-Derived Filter
- Citation
- 한국전자파학회 논문지, v.28, no.11, pp.924 - 927
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 한국전자파학회 논문지
- Volume
- 28
- Number
- 11
- Start Page
- 924
- End Page
- 927
- ISSN
- 1226-3133
- Abstract
- 본 논문에서는 6～18 GHz 대역 8-비트 true time delay(TTD) 회로의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 단위 지연회로는 상대적으로 시간 지연 변화율이 일정한 m-유도 필터(m-derived filter)를 이용하였다. 설계한 8-비트 TTD는 2개의single-pole double-throw(SPDT)와 7 개의 double-pole double-throw(DPDT) 스위치로 구현하였으며, 인덕터를 이용하여 반사특성을 개선하였다. 설계된 8-비트 TTD는 0.18 μm CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 TTD 회로의 시간 가변 범위는 250 ps이고, 시간 지연 해상도는 약 1 ps이다. 6～18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 시간 지연 오차는 11 ps 미만이며, 입출력 반사 손실은 10 dB 이상이다. 공급 전압은 1.8 V이며, 소비 전력은 0.0 mW이다. 칩 면적은 2.36×1.04 mm2이다.
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