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수광층의 카바이드 함량 변화에 따른 실리콘 이종접합 태양전지 특성 변화open access

Authors
이준신[이준신]김현성[김현성]김상호[김상호]이영석[이영석]정준희[정준희]김용준[김용준]다오빈 아이[다오빈 아이]
Issue Date
2016
Publisher
한국전기전자재료학회
Keywords
Heterojunction solar cell; Wide bandgap; Carbide; Conductivity; Absorption
Citation
전기전자재료학회논문지, v.29, no.6, pp.376 - 379
Indexed
KCI
Journal Title
전기전자재료학회논문지
Volume
29
Number
6
Start Page
376
End Page
379
URI
https://scholarworks.bwise.kr/skku/handle/2021.sw.skku/41187
DOI
10.4313/JKEM.2016.29.6.376
ISSN
1226-7945
Abstract
이 논문은 이종접합태양의 p-type a-SiC:H 막의 카바이드 함량의 변화에 따른 소자의 광학적, 전기적인 특성을 분석한 것이다. p-type a-SiC:H막의 카바이드 함량이 증가함에 따라 밴드갭이 증가하게 되고, 광 흡수도가 감소하여 단락전류가 증가하게 된다. 또한 Built in potential이 증가하여 개방전압이 증가한다. 일정 밴드갭 이상에서는 밴드오프셋 및 전기전도도 감소에 의해 개방 전압이 감소하고 곡선인자의 하락이 야기된다. p-type a-SiC:H 막 최적화에 따른 단락전류 1 mA/cm2 상승 및 개방전압 30 mV 증가로 인하여 단락전류 36.35 mA/cm2 개방전압 710 mV을 달성하였다.
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YI, JUN SIN
Information and Communication Engineering (Electronic and Electrical Engineering)
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