다양한 Passivation 물질에 따른 IGZO TFT Stability 개선 방법

Abstract

차세대 디스플레이에 요구되는 핵심 요소는 대면적, 높은 이동도, 높은 신뢰성과 같은 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 만드는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 디스플레이 분야에서 가장 많은 연구가 진행되고 있는 IGZO 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터의 Passivation Layer에 다양한 물질을 적용함으로써 a-IGZO TFT의 신뢰성 개선에 대한 연구동향을 조사하였다. 조사된 논문들에서 Passivation으로 사용된 물질은 무기물 SiO2, TiO2, Al2O3와 유기물 CYTOP이 이용되었다. Al2O3의 경우 R, G, B의 3가지 파장에 대한 NBIS 조건하에서 non-Passivation TFT에 비하여 월등한 안정성을 보였다. CYTOP 또한 SiO2 Passivation 및 non-Passivation 소자와 동일한 PBTS 조건 하에서 비교하였을 때 2.8V 3.3V, 4.5V로 가장 작은 Vth 이동을 보였다. TiO2 Passivation도 적용되지 않은 소자와 동일한 NBTS 조건 하에서 -2.2V 및 -3.8V로 더욱 안정적임을 확인하였다. 이는 a-IGZO TFT의 신뢰성 개선을 위한 더 나은 연구의 기반이 될 수 있을것으로 예상한다.