무선 통신을 위한 Quad-band RF CMOS 전력증폭기Quad-Band RF CMOS Power Amplifier for Wireless Communications
- Other Titles
- Quad-Band RF CMOS Power Amplifier for Wireless Communications
- Authors
- 이미림; 양준혁; 박창근
- Issue Date
- Jul-2019
- Publisher
- 한국정보통신학회
- Keywords
- LTE; WLAN; Matching Network; Power Amplifier; Quad-Band; LTE; WLAN; 정합회로; 전력 증폭기; 다중대역
- Citation
- 한국정보통신학회논문지, v.23, no.7, pp.807 - 815
- Journal Title
- 한국정보통신학회논문지
- Volume
- 23
- Number
- 7
- Start Page
- 807
- End Page
- 815
- URI
- http://scholarworks.bwise.kr/ssu/handle/2018.sw.ssu/34992
- DOI
- 10.6109/jkiice.2019.23.7.807
- ISSN
- 2234-4772
- Abstract
- 본 논문에서는 RF CMOS 180-nm 공정을 이용하여 무선 통신 기기에서 quad-band를 지원하기 위한 전력 증폭기를 설계하였다. 제안한 전력증폭기는 low-band인 0.9,1.8,2.4 GHz 와 high-band인 5 GHz 로 구성되어있으며, 각각 입력 정합회로에서는 스위치를 사용하지 않는 구조를 제안하였다. 그리고 최대 선형 전력 확보를 위해 출력 정합회로는 각 주파수 대역에서의 전력 정합지점으로 임피던스 변환을 진행하였다. 제안한 전력증폭기는 무선 통신 변조 신호를 사용하여 검증하였다. Long-term evolution(LTE) 10 MHz 변조 신호를 이용하여 0.9 GHz 및 1.8 GHz 를 측정하였으며, 이때 출력 전력은 각각 23.55 dBm 및 24.23 dBm으로 측정 되었고, 20 MHz 변조 신호를 사용한 경우, 1.8 GHz에서 출력 전력 22.24 dBm 이 측정되었다. Wireless local area network(WLAN) 802.11n 변조 신호를 이용하여 2.4 GHz 및 5.0 GHz 대역을 측정하였으며, 출력 전력은 20.58 dBm 및 17.7 dBm으로 확인되었다.
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