선형성 개선을 위한 고효율 GaN-HEMT 이중대역 Doherty 전력 증폭기

Abstract

본 논문은 2.4 GHz와 3.5 GHz 대역에서 동작하는 고조파억제회로를 설계하여 2nd와 3rd 고조파를 −30 dB 이하로감쇄시켜 Doherty 전력 증폭기의 선형성을 개선하는 기법을 제시한다. 제안된 증폭기는 CREE社의 CGH 40006P GaN high electron mobility transistors (HEMTs)를 사용하여 주 증폭기와 보조 증폭기로 설계되었고 Wilkinson 전력 분배기를통해 증폭기에 신호를 입력하였다. 제작된 전력 증폭기는 최대 출력전력구간에서 2.4 GHz 대역은 36.8 dBm 출력전력과66.13 % 전력부가효율이 측정되고 3.5 GHz 대역은 36.1 dBm, 62.03 %로 측정되었다. 6 dB 백오프 출력전력 구간에서2.4 GHz 대역은 전력부가효율이 45.2 %, 3.5 GHz 대역에서는 36.7 %로 측정되었다.