고조파 제어 매칭단 기반 S-대역 GaN HEMT 전력 증폭기

Abstract

본 논문은 2차 고조파 제어가 가능한 매칭단 기반의 고효율 S-대역 전력 증폭기를 제작한 결과를 제시한다. 기본파및 고조파 대역의 최적 전력 매칭 임피던스에 정합이 가능할 뿐만 아니라, 고조파 대역을 차단이 가능한 체비쇼프 필터기반 고조파 제어 매칭단을 제안하였으며, 제안된 매칭단을 적용한 전력 증폭기는 추가적인 저역 통과 필터 없이 우수한고조파 억제 성능과 함께 높은 효율을 가진다. 제안된 회로를 검증하기 위해 제작 및 측정을 진행하였다. 제작된 전력증폭기는 2.8～3.2 GHz의 주파수 대역에서 61.3～76.3 %의 드레인 효율을 얻었으며, 고조파 대역에서 최소 −46 dBc의2차 고조파 억제가 이루어짐을 확인하였다.