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이온젤 전해질 절연체 기반 고분자 비휘발성 메모리 트랜지스터Ion Gel Gate Dielectrics for Polymer Non-volatile Transistor Memories
- Other Titles
- Ion Gel Gate Dielectrics for Polymer Non-volatile Transistor Memories
- Issue Date
- Dec-2016
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Transistor-type non-volatile memory; Ion gel electrolyte; polymer semiconductor; Low voltage operation; Film thickness
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.29, no.12, pp.759 - 763
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 29
- Number
- 12
- Start Page
- 759
- End Page
- 763
- ISSN
- 1226-7945
- Abstract
- 본 연구에서는 고분자 반도체 기반의 비휘발성 트랜지스터 메모리 소자의 구동전압을 낮추는 방안의 하나로 이온젤 전해질 절연체의 사용을 제시한다. 전해질에 기반한 고분자 박막 트랜지스터의 구동은 게이트 전압을 통해 제어가 가능한 고분자 박막 내로의 이온 출입 및 이에 기초한 고분자 박막의 도핑/디도핑 현상을 이용한다. 본 연구에서는 이러한 고분자 반도체의 도핑/디도핑 현상을 활용하여 일정 시간 이상 동안 임의의 전류신호를 기억하고 또한 삭제할 수 있는 메모리 소자를 제조하였다. 특히나 소자의 메모리 특성이 고분자 반도체의 두께에 의해 변화함을 확인하였으며, 특히나 i) 저장상태의 신호와 삭제상태의 신호비와 ii) 정보의 저장시간이 두께에 따라 증가함을 확인하였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > Department of Chemical Engineering > 1. Journal Articles
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