고밀도 플라즈마를 이용한 SnO2 박막의 건식 식각 특성
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 김환준 | - |
dc.contributor.author | 주영희 | - |
dc.contributor.author | 김승한 | - |
dc.contributor.author | 우종창 | - |
dc.contributor.author | 김창일 | - |
dc.date.available | 2019-05-29T01:33:36Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/19415 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 유도 결합 플라즈마 식각 장비를 사용하여 SnO2 박막의 식각 특성과 공정에 대하여 연구하였다. O2/BCl3/Ar의 식각 가스 혼합비를 변화시켜 SnO2 박막의 식각 실험을 진행하였다. 기본 공정 조건은 700 W의 RF 전력, - 150 V의 직류 바이어스 전압, 2 Pa의 공정 압력으로 고정하였다. 실험 결과 O2/BCl3/Ar=(3:4:16 sccm) 플라즈마에서 최대 식각 속도인 509.9 nm/min을 얻었다. XPS 분석을 통하여 O2/BCl3/Ar 플라즈마에서의 SnO2 박막의 식각 메커니즘을 알아보았다. 또한 식각 후 박막의 표면 상태와 단면 현상은 각각 AFM과 FE-SEM을 통하여 알아보았다. | - |
dc.description.abstract | In this paper, we carried out the investigations of both etch characteristics and mechanisms for the SnO2 thin films in O2/BCl3/Ar plasma. The dry etching characteristics of the SnO2 thin films was studied by varying the O2/BCl3/Ar gas mixing ratio. We determined the optimized process conditions that were as follows: a RF power of 700 W, a DC-bias voltage of – 150 V, and a process pressure of 2 Pa. The maximum etch rate was 509.9 nm/min in O2/BCl3/Ar=(3:4:16 sccm) plasma. From XPS analysis, the etch mechanism of the SnO2 thin films in the O2/BCl3/Ar plasma can be identified as the ion-assisted chemical reaction while the role of ion bombardment includes the destruction of the metal-oxide bonds as well as the cleaning of the etched surface form the reaction products. | - |
dc.format.extent | 5 | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | KOR | - |
dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
dc.title | 고밀도 플라즈마를 이용한 SnO2 박막의 건식 식각 특성 | - |
dc.title.alternative | A Study on Etching Characteristics of SnO2 Thin Films Using High Density Plasma | - |
dc.type | Article | - |
dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2013.26.11.826 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.26, no.11, pp 826 - 830 | - |
dc.identifier.kciid | ART001818307 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.citation.endPage | 830 | - |
dc.citation.number | 11 | - |
dc.citation.startPage | 826 | - |
dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 26 | - |
dc.publisher.location | 대한민국 | - |
dc.subject.keywordAuthor | SnO2 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Etching | - |
dc.subject.keywordAuthor | Inductively coupled plasma | - |
dc.subject.keywordAuthor | BCl3 | - |
dc.subject.keywordAuthor | XPS | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
84, Heukseok-ro, Dongjak-gu, Seoul, Republic of Korea (06974)02-820-6194
COPYRIGHT 2019 Chung-Ang University All Rights Reserved.
Certain data included herein are derived from the © Web of Science of Clarivate Analytics. All rights reserved.
You may not copy or re-distribute this material in whole or in part without the prior written consent of Clarivate Analytics.