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BCl3/He 유도결합 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 식각 특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 주영희 | - |
| dc.contributor.author | 김창일 | - |
| dc.contributor.author | 우종창 | - |
| dc.date.available | 2019-05-29T09:14:36Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/20722 | - |
| dc.description.abstract | 본 실험에서는 BCl3/He 플라즈마에서 TiN 박막의 공정 조건에 따른 식각 속도 변화와 박막 표면의 화학적 변화를 연구하였다.그 결과 BCl3/He=(25%:75%) 일 때 44.2 nm/min으로 가장 높은 식각 속도를 보였으며, 그 이상의 BCl3 가스를 첨가하였을 경우 식각 속도가 감소하는 것을 알 수 있었다. 식각 된 TiN 표면의 화학적 변화를 관찰하기 위하여 XPS 분석을 실시하였다. Ti 2p와 N 1s의 Intensity와 결합에너지가 화학적 반응으로 인해 변화된 것을 알 수 있었으며, Cl 라디칼에 의해 표면의 화학반응이 일어나 식각이 진행 된다는 것을 알 수 있었다. | - |
| dc.format.extent | 5 | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | BCl3/He 유도결합 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 식각 특성 | - |
| dc.title.alternative | Dry Etching Characteristics of TiN Thin Films in BCl3/He Inductively Coupled Plasma | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2012.25.9.681 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.25, no.9, pp 681 - 685 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001694562 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.citation.endPage | 685 | - |
| dc.citation.number | 9 | - |
| dc.citation.startPage | 681 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 25 | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | TiN | - |
| dc.subject.keywordAuthor | XPS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | BCl3/He | - |
| dc.subject.keywordAuthor | ICP | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Etch | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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