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InAs/InGaAs 양자점을 이용한 전계광학변조기Electrooptic modulator with InAs quantum dots
- Issue Date
- 2006
- Publisher
- 한국광학회
- Keywords
- Quantum dots; Electrooptic modulator; Optoelectronics
- Citation
- 한국광학회지, v.17, no.3, pp 278 - 284
- Pages
- 7
- Journal Title
- 한국광학회지
- Volume
- 17
- Number
- 3
- Start Page
- 278
- End Page
- 284
- ISSN
- 1225-6285
2287-321X
- Abstract
- 본 연구에서는 광통신 시스템에서의 고속변조를 위하여 사용되는 전계광학 변조기를 구현하기 위하여 InAs 양자점(Quantum Dots)을 변조영역으로 하는 전계광학 변조기를 설계, 제작하였다. 제작한 양자점 전계광학 변조기에서 1550 nm의 파장을 가지는 입력광의 변조 특성을 측정하여 벌크(Bulk)형태의 변조영역을 가지는 동일한 구조의 전계광학 변조기와 비교하였다. 위상변조효율은 TE 모드에서 333.3 °/V·mm, TM 모드에서 300 °/V·mm 로 측정되었으며, 기존의 벌크로 변조영역이 구성된 전계광학 변조기와 동일한 소자구조를 가지는 전계광학 변조기에 비해 편광의존도가 낮으며 위상변조효율이 20배 이상 향상된 결과를 얻었으며, 양자우물구조에 비하여는 3배 이상의 높은 위상변조효율을 얻었다.
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