BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 우종창 | - |
dc.contributor.author | 최창억 | - |
dc.contributor.author | 양우석 | - |
dc.contributor.author | 주영희 | - |
dc.contributor.author | 강필승 | - |
dc.contributor.author | 전윤수 | - |
dc.contributor.author | 김창일 | - |
dc.date.available | 2019-08-23T02:56:48Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/35693 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 특성을 연구하였다. 이때 CH4/BCl3/Ar=3:4:16 sccm 플라즈마 안에서 TaN 박막의 최고 식각속도는 104.3 nm/min 확인 할 수 있었다. BCl3/Ar(4:16 sccm)의 가스 조건에서 3 sccm의 CH4 가스를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻었다. 또한, 3 sccm 이상의 CH4 가 첨가될 경우 식각 속도는 줄어들었으나, TaClx와 같은 식각 부산물을 감소시켜 깨끗한 TaN 표면을 얻을 수 있는 것으로 판단된다. TaN 박막을 XPS을 이용하여, CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 화학적 반응을 확인하였다. 또한, 식각된 TaN 박막 표면의 반응을 확인하기 위해 FE-SEM을 통해서 확인할 수 있었다. | - |
dc.format.extent | 6 | - |
dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
dc.title | BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구 | - |
dc.title.alternative | A Study on the Surface of the Dry Etched TaN Thin Film by Adding The CH4 Gas in BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma | - |
dc.type | Article | - |
dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2013.26.5.335 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.26, no.5, pp 335 - 340 | - |
dc.identifier.kciid | ART001769002 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.citation.endPage | 340 | - |
dc.citation.number | 5 | - |
dc.citation.startPage | 335 | - |
dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 26 | - |
dc.publisher.location | 대한민국 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Etch | - |
dc.subject.keywordAuthor | TaN | - |
dc.subject.keywordAuthor | Plasma | - |
dc.subject.keywordAuthor | ICP | - |
dc.subject.keywordAuthor | BCl3/Ar | - |
dc.subject.keywordAuthor | CH4 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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