DDR4의 VRT Cell에 대한 Signature 고찰(A Signature Review of VRT Cells in DDR4)

Abstract

메모리가 고성능화됨에 따라 용량이 커지면서 데이터의 손실률이 증가하고 refresh가 더욱 많이 필요해졌다. 그에 따른 전력 소모와 read/write의 지연은 큰 문제가 되었다. 이처럼 retention time은 DRAM 성능을 결정하는 중요한 요소지만, retention time이 변동하는 VRT 현상이 발견되며 refresh 주기를 낮추는 데에 큰 문제가 되고 있다. 이에 본 논문에서는 DDR4에서 VRT 현상을 확인하고 메모리 패턴에 대해 분석하고자 하였다. retention time 측정에 적합한 65℃에서 실험한 결과 Regular cell, VRT cell, Indefinite cell을 발견할 수 있었다. 본 논문은 실험을 통해 VRT cell에 대한 기준을 명확히 세우는 것의 필요성을 시사한다.