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채널층(HAZO)과 게이트 절연층(SiO₂) 사이의 완충막(Al₂O₃)이 박막 트랜지스터의 특성에 미치는 영향
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이상혁 | - |
| dc.contributor.author | 전현식 | - |
| dc.contributor.author | 박주희 | - |
| dc.contributor.author | 김원 | - |
| dc.contributor.author | 박진석 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-22T16:24:58Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-22T16:24:58Z | - |
| dc.date.created | 2021-02-18 | - |
| dc.date.issued | 2016-07 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/erica/handle/2021.sw.erica/13191 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 대한전기학회 | - |
| dc.title | 채널층(HAZO)과 게이트 절연층(SiO₂) 사이의 완충막(Al₂O₃)이 박막 트랜지스터의 특성에 미치는 영향 | - |
| dc.title.alternative | Effects of a buffer layer (Al₂O₃) between channel (HAZO) and gate oxide (SiO₂) on the characteristics of thin film transistors | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 박진석 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 2016년도 대한전기학회 하계학술대회논문집, pp.1159 - 1160 | - |
| dc.relation.isPartOf | 2016년도 대한전기학회 하계학술대회논문집 | - |
| dc.citation.title | 2016년도 대한전기학회 하계학술대회논문집 | - |
| dc.citation.startPage | 1159 | - |
| dc.citation.endPage | 1160 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.description.journalClass | 3 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | other | - |
| dc.identifier.url | https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE07011764 | - |
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- PARK, JIN SEOK
- ERICA 공학대학 (SCHOOL OF ELECTRICAL ENGINEERING)