GaAs 기판 위에 저온 완충층을 이용해 성장한 GaSB 박막 특성

Abstract

Sb계열의 물질은 높은 이동도와 좁은 에너지 갭으로 인하여 고속전자소자 및 장파장용 광소자 응용에 이용되고 있는 물질계이다. Sb 계열의 화합물 반도체에 이용되고 있는 InAs기판은 GaSb와의 격자 부정합이 0.6% 이하로 양질의 박막을 얻을 수 있지만 이 물질을 기판으로 사용하기엔 아직 고가이고 좋은 특성과 넓은 기판을 확보하기 어렵다. 본 연구에서는 molecualr beam epitaxy 법으로 GaSb 와 약 7% 이상의 격자부정합이 있는 GaAs 기판위에 저온 성장된 완충층을 이용하여 GaSb 박막의 결정 특성과 광학적 특성을 double crystal x-ray rocking curve와 photoluminescence(PL)을 통하여 조사하였으며, atomic force mictoscopy 롤 표면 특성을 조사하였다.저온 성장된 Alsb를 완충층으로 이용 하였을 경우에 full width half maximum 이 468 arcsec로 다른 환충층에 비해 좋은 결정 특성이 나타났으며 1596 nm 에서 PL 신호가 나오는 것을 확인하였다.