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Si 기판 GaSb 기반 p-채널 HEMT 제작을 위한 오믹 접촉 및 식각 공정에 관한 연구A Study on the Ohmic Contacts and Etching Processes for the Fabrication of GaSb-based p-channel HEMT on Si Substrate
- Other Titles
- A Study on the Ohmic Contacts and Etching Processes for the Fabrication of GaSb-based p-channel HEMT on Si Substrate
- Issue Date
- Feb-2009
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- p-type GaSb on silicon; ohmic contact; mesa etching; recess etching; p-type GaSb on silicon; ohmic contact; mesa etching; recess etching
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.13, no.4, pp.23 - 27
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 13
- Number
- 4
- Start Page
- 23
- End Page
- 27
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 실리콘 기판 상에 MBE (molecular beam epitaxy)로 형성된 GaSb 기반 p-channel HEMT 소자를 제작하기 위하여 오믹 접촉 형성 공정과 식각 공정을 연구하였다. 먼저 각 소자의 절연을 위한 메사 식각 공정 연구를 수행하였으며, HF기반의 습식 식각 공정과 ICP(inductively coupled plasma)를 이용한 건식 식각 공정이 모두 사용되었다. 이와 함께 소스/드레인 영역 형성을 위한 오믹 접촉 형성 공정에 관한 연구를 진행하였으며 Ge/Au/Ni/Au 금속층 및 300℃ 60초 RTA공정을 통해 0.683 Ωmm의 접촉 저항을 얻을 수 있었다. 더불어 HEMT 소자의 게이트 형성을 위한 게이트 리세스 공정을 AZ300 현상액과 citric산 기반의 습식 식각을 이용하여 연구하였으며, citric산의 경우 소자 구조에서 캡으로 사용된 GaSb와 베리어로 사용된 AlGaSb사이에서 높은 식각 선택비를 보였다.
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