Si(100) 위에 성장된AlAsSb 박막의 As 조성 과 면저항 변화

Abstract

MBE 법으로 Si(100) 기판 위에 성장된 AlAsSb 박막에 대하여 In과 As4 flux 양 변화에 대하 여 조성 및 결정성, 면저항 변화를 SIMS, DCXRD 그리고 4 probe point 법으로 조사 하였다. In이 미량 첨가되면서 As이 AlAsSb 박막내에서 증가 하였으며 면 저항 또한 90Ω/cm2 에서 310 KΩ/cm2으로 증가하는 현상을 관측 하였다. As이 5%, In/Al flux비가 0.09 이상일 때 면저항이 급격히 감소하면서 결정성 나빠졌다. 이는 합금에 따른 결함에 기인된 것으로 여겨진다. Si 기판을 이용 전자소자구조를 성장 할 때 AlAsSb 완충층에 In을 미량 첨가하면 As가 증가하면서 면저항 또한 증가함으로 좋은 완충층으로 사용 할 수 있음을 보였다.

We have investigated the variations of As composition, the structural properties, and the surface resistivity by using double crystal X-ray diffraction (DCXRD), secondary-ion mass spectrometry (SIMS), and a 4-probe point method, respectively, of AlAsSb layers grown on Si(100) by using molecular beam epitaxy. With increasing As composition, the surface resistivity increased from 90Ω/cm2 to 310 KΩ/cm2 in the AlAsSb layers with a little bit of indium. Above a 5% As composition and a 0.09 In/Al flux ratio, the surface resistivity decreased abruptly, and the full width at half maximum (FWHM) of the DCXRD peak increased. This is due to a distortion of the lattice in the AlAsSb layer. From the results, we know that the AlAsSb layer with a little bit of indium can serve as a good buffer layer due to the increase in the resistivity when an electrical device structure is grown on a Si substrate.