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기판 온도 변화에 따른 Cu(In,Ga)Se2 박막에 관한 연구A Study on Cu(In,Ga)Se2 Thin Film with Substrate Temperature Change
- Other Titles
- A Study on Cu(In,Ga)Se2 Thin Film with Substrate Temperature Change
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Co-evaporation method; Cu(In; Ga)Se2; Vacancy; Absorbency spectra
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.26, no.12, pp.888 - 893
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 26
- Number
- 12
- Start Page
- 888
- End Page
- 893
- ISSN
- 1226-7945
- Abstract
- 본 논문은 동시 진공증발법으로 Cu(InGa)Se2 박막을 제작하였으며 각 단계별로 제작된 시편의 표면 및 특성을 분석하였다. 1단계에서 기판온도가 400℃일 때 InGaSe2상이 형성되었으며 기공이 많이 발생되지 않았다. 2단계,3단계에서는 기판온도가 480℃ 이상일 때 입자 크기가 커졌으며 Cu(In0.7Ga0.3)Se2 상이 형성되었다. 열처리 전·후의 XRD분석 결과, 열처리 후에는 Cu2Se상이 없어지고 Cu(ln0.7Ga0.3)Se2 단일상으로 구성되었다. 열처리 전·후의의 흡수 스펙트럼은 변화가 없었다. 즉 흡수 스펙트럼은 열처리와는 무관하다는 것을 알 수가 있었다.
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