PBTI에 의한 무접합 및 반전모드 다중게이트MOSFET의 소자 특성 저하 비교 분석Comparative Analysis of PBTI Induced Device Degradation in Junctionless and Inversion Mode Multiple-Gate MOSFET
- Other Titles
- Comparative Analysis of PBTI Induced Device Degradation in Junctionless and Inversion Mode Multiple-Gate MOSFET
- Authors
- 김진수; 홍진우; 김혜미; 이재기; 박종태
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국정보통신학회
- Keywords
- Junctionless MuGFET; Inversion mode MuGFET; PBTI; Device degradation; 무접합 다중게이트 MOSFET; 반전모드 다중게이트 MOSFET; PBTI; 소자 특성 저하
- Citation
- 한국정보통신학회논문지, v.17, no.1, pp.151 - 157
- Journal Title
- 한국정보통신학회논문지
- Volume
- 17
- Number
- 1
- Start Page
- 151
- End Page
- 157
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/15672
- DOI
- 10.6109/jkiice.2013.17.1.151
- ISSN
- 2234-4772
- Abstract
- 본 연구에서는 다중게이트 구조인 나노 와이어 n-채널 무접합(junctionless)와 반전모드(inversion mode) 다중게이트 MOSFET(Multiple-Gate MOSFET : MuGFET)의 PBTI에 의한 소자 특성 저하를 비교 분석하였다. PBTI에 의해서 무접합 및 반전모드 소자의 문턱전압이 증가하는 것으로 관측되었으며 무접합 소자의 문턱전압 변화가 반전모드 소자보다 작음을 알 수 있었다. 그러나 소자특성 저하 비율은 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것으로 관측되었다. 특성저하 활성화 에너지는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. PBTI에 의한 소자 특성 저하가 무접합 소자보다 반전모드 소자가 더 심한 것을 분석하기 위하여 3차원 소자 시뮬레이션을 수행하였다. 같은 게이트 전압에서 전자의 농도는 같으나 수직방향의 전계는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것을 알 수 있었다.
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