RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작된 Ga-doped ZnO 박막의 공정압력에 따른 전기적, 광학적 특성Electrical and Optical Properties of Ga-doped ZnO Thin Films Deposited at Different Process Pressures by RF Magnetron Sputtering
- Other Titles
- Electrical and Optical Properties of Ga-doped ZnO Thin Films Deposited at Different Process Pressures by RF Magnetron Sputtering
- Authors
- 정성진; 김덕규; 김홍배; 박찬; 최형욱; 김경환; 박정웅
- Issue Date
- 2012
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- Ga-doped ZnO; RF magnetron sputtering; Transparent conducting oxide; Process pressure; Ga-doped ZnO; RF magnetron sputtering; Transparent conducting oxide; Process pressure; Ga-도핑된 ZnO; RF 마그네트론 스퍼터링; 투명전도막; 공정압력
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.21, no.1, pp.17 - 21
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 21
- Number
- 1
- Start Page
- 17
- End Page
- 21
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/17258
- ISSN
- 2288-6559
- Abstract
- 투명전도산화막인 Ga-도핑된 ZnO (GZO) 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 증착법을 이용하여 증착하고 전기적, 광학적 특성을 연구하였다. 증착변수로 공정압력에 변수를 주었으며 공정 압력 변화에 따라 전기적 특성과 광학적 특성이 달라짐을 확인할 수 있었다. 모든 박막은 공정압력에 상관없이 c-축(002) 방향성을 나타냈다. 증착된 GZO 박막의 전기저항성은 8.68×10-3 Ωㆍcm ~ 2.18×10-3 Ωㆍcm이었고, 모든 가시광 영역에서 90% 이상의 평균 투과율을 보였다. 공정압력에 따라 상온에서 증착된 GZO 박막은 우수한 낮은 저항성과 높은 투과율을 나타내었고, 평판디스플레이와 태양전지의 투명전극으로 응용되기에 적합한 특성을 지닌 것을 확인 할 수 있었다.
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