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RF Power변화에 의한 CdTe 박막에 관한 연구A Study on CdTe Thin Film by RF Power Change

Other Titles
A Study on CdTe Thin Film by RF Power Change
Authors
박정철
Issue Date
Aug-2023
Publisher
한국정보전자통신기술학회
Keywords
CdTe; ITO glass; FHWM; mobility; RF Power; transmittance; sputtering
Citation
한국정보전자통신기술학회 논문지, v.16, no.4, pp.187 - 192
Journal Title
한국정보전자통신기술학회 논문지
Volume
16
Number
4
Start Page
187
End Page
192
URI
https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/89200
ISSN
2005-081X
Abstract
본 논문은 스퍼터링 장비를 이용하여 ITO 유리 기판에 CdTe 박막을 RF Power로 변화주면서 CdTe 박막을 증착하였다. 박막의 두께를 측정한 결과, 100W 일 때 1481Å, 150W는 2985Å, 200W는 4684Å로 측정되었다. 그리고 이동도는 100W일 때 8.43cm2/Vs, 150W는 7.91cm2/Vs, 200W는 6.57cm2/Vs로 측정되었다. 시편의 두께와 이동도는 반비례한 한다는 것을 알 수가 있었다. 투과율을 확인한 결과, 100W 일 때 905nm에서 투과율은 84%, 150W는 825nm에서 투과율이 71%, 200W는 874nm에서 77%로 측정되었다. 이것은 시편의 두께가 100W일 때 시편의 두께가 얇았으므로 투과율이 높게 측정되었다. 즉 투과율과 두께의 상관관계를 알 수가 있는 부분이다. RF Power를 변화주어 반치폭과 입자의 크기를 측정한 결과, 반치폭은 100W일 때 0.18, 150W는 0.19, 200W는 0.73으로 계산되었다. 입자의 크기는 100W에서는 8.47Å, 150W에서는 7.98Å, 200W일 때 가장 큰 8.7Å으로 형성된 것으로 확인되었다. 결론적으로 반치폭과 입자 크기는 반비례하는 것을 알 수 있었다.
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IT융합대학 > 전자공학과 > 1. Journal Articles

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