급속 열처리 방법에 의한 Sn 솔더 범프의 리플로와 금속간 화합물 형성

Abstract

본 실험에서는 두 가지 리플로 시스템에 따라 솔더 범프 내에 생성되는 금속간 화합물의 성장 거동에 대하여 연구하였다. 산화막이 증착된 Si 기판 위에 직류 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 Ti (50 nm), Cu (1 μm), Au (50 nm), Ti (50 nm)의 박막을 형성한 후, 전해 도금을 이용하여 5 μm 두께의 Cu 범 프와 20 μm 두께의 Sn 범프를 형성하였다. 급속열처리장치(RTA)와 일반 리플로를 이용하여 전해 도금 으로 형성된 Sn (20 μm)/ Cu (5 μm) 범프를 동일한 온도에서 각각 리플로 공정을 진행한 결과, 급속열처 리장치를 이용하여 리플로를 할 때, 플럭스를 사용하지 않고 범프로 형성할 수 있었으며, 솔더 계면에 형 성된 금속간 화합물이 일반 리플로의 경우보다 더 얇게 형성되었다.