HVPE 법을 통한 GaN 성장 시 기판 종류 및 V/III 비에 따른 잔류 stress 특성 연구Study on residual stress characteristics according to the substrate type and V/III ratio during GaN growth by HVPE
- Other Titles
- Study on residual stress characteristics according to the substrate type and V/III ratio during GaN growth by HVPE
- Authors
- Lee, Joo Hyung; Lee, Seung Hoon; Lee, Hee Ae; Kang, Hyo Sang; Oh, Nuri; Yi, Sung Chul; Lee, Seong Kuk; Park, Jae Hwa
- Issue Date
- Apr-2020
- Publisher
- KOREAN ASSOC CRYSTAL GROWTH, INC
- Keywords
- Gallium nitride; HVPE; V/III ratio; Hexagonal pit; Stress
- Citation
- JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY, v.30, no.2, pp.41 - 46
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY
- Volume
- 30
- Number
- 2
- Start Page
- 41
- End Page
- 46
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/1978
- DOI
- 10.6111/JKCGCT.2020.30.2.041
- ISSN
- 1225-1429
- Abstract
- 본 연구에서는 HVPE 성장법으로 GaN 성장 시 GaN 내에 잔류하는 stress로 인한 crack 현상을 감소시키고자기판 종류 및 V/III 비를 조절하여 잔류 stress 특성을 알아보고자 하였다. Sapphire, GaN template 위에 각각 V/III 비 5, 10,15의 조건으로 GaN을 성장시켜 형성된 hexagonal pit의 분포 및 깊이를 분석하였다. 이를 통해 G aN on GaN t emplate 성장에서 V/III 비가 높을수록 hexagonal pit의 분포 영역 및 깊이가 증가하는 것을 확인하였다. Raman 측정을 통해 hexagonalpit 영역 및 깊이가 컸던 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 stress가 감소하는 것을 확인하였다. 이를 통해 hexagonal pit의 분포 및 깊이가 증가할수록 잔류 stress가 낮아짐을 확인할 수 있었으며, 향후 후막 GaN 성장 시 stress감소 가능성에 대해 확인하였다.
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