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테라헤르츠파를 이용한 실리콘 웨이퍼의 도핑 정도와 물리적 특성 측정에 관한 연구The Doping Concentration and Physical Properties Measurement of Silicon Wafer Using Terahertz Wave
- Other Titles
- The Doping Concentration and Physical Properties Measurement of Silicon Wafer Using Terahertz Wave
- Authors
- Park, Sung Hyeon; Oh, Gyung Hwan; Kim, Hak Sung
- Issue Date
- Feb-2017
- Publisher
- KOREAN SOC NONDESTRUCTIVE TESTING
- Keywords
- Terahertz Wave; Silicon Wafer; Doping Concentration; Refractive Index; Permittivity
- Citation
- JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY FOR NONDESTRUCTIVE TESTING, v.37, no.1, pp.1 - 6
- Indexed
- KCI
- Volume
- 37
- Number
- 1
- Start Page
- 1
- End Page
- 6
- ISSN
- 1225-7842
- Abstract
- 본 논문에서는 테라헤르츠파 시간분광영상시스템을 이용하여 도핑된 실리콘 웨이퍼의 물리적 특성을 측정하는 것에 관한 연구를 진행하였다. 투과모드와 30°의 입사각을 가진 반사모드를 이용하여 측정하였으며 실리콘 웨이퍼의 도핑 정도는 N-type과 P-type 모두에서 1014에서 1018까지 다양하게 준비하였다. 그 결과, 도핑 정도와 테라헤르츠파와의 상관관계를 찾았으며 이를 이용하면 모든 경우에 대한 도핑된 실리콘 웨이퍼의 도핑 정도를 확인할 수 있다. 또한, 각 도핑된 실리콘 웨이퍼의 도핑된 두께, 굴절률, 유전율을 테라헤르츠 시간영역 파형분석을 통하여 계산할 수 있었다. 따라서, 테라헤르츠 시간분광영상화 기술은 도핑된 실리콘 웨이퍼의 굴절률과 유전율과 같은 물리적 특성뿐만 아니라 도핑 정도를 측정할 수 있는 유용한 기술이 될 것으로 기대된다.
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 기계공학부 > 1. Journal Articles
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Related Researcher
- Kim, Hak Sung
- COLLEGE OF ENGINEERING (SCHOOL OF MECHANICAL ENGINEERING)