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STRAINED Si를 만들기 위한 SiGe LAYER 형성에 TEMPERATURE,GeH4GAS PRE-FLOW,GAS RATIO가 미치는 영향
- Authors
- 박재근
- Issue Date
- 21-Nov-2003
- Place
- 연세대학교
- Conference Name
- 2003한국재료학회 추계 학술발표대회 및 제1회 화합물반도체 심포지엄 논문 개요집
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 융합전자공학부 > 2. Conference Papers
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