TSV 구리 필링 공정에서 JGB의 농도와 전류밀도의 상관 관계에 관한 연구

Abstract

비아 필링에 있어서 void나 seam 생성이 없이 비아를 채우는 것은 매우 중요한 사항으로 전류밀도, 전류모드, 첨가제 등을 변화시켜 결함없는 비아를 얻어왔다. 그러나 다양한 첨가제의 부산물이 오염의 원인이 되며 도금액의 수명을 줄이는 문제점이 있었다. 본 연구에서는 오염을 최소화하기 위하여 다른 첨가제가 없이 JGB만을 사용하여 JGB 농도와 전류밀도 변화에 따른 비아 필링 현상을 연구하였다. 지름이 15 μm이며 종횡비 4인 비아가 사용되었으며 펄스전류를이용하여 도금을 하였다. 전류밀도는 10~20 mA/cm2, JGB 농도는 0~25 ppm까지 변화시키면서 JGB 농도와 전류밀도와의 상관관계를 mapping 하였다. 그로부터 지름이 15 μm이며 종횡비 4인 비아 필링의 최적 조건을 확립하였다.