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원자막증착법(ALD) SnO2 촉매를 적용한AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO2 가스센서
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양수혁 | - |
| dc.contributor.author | 김형탁 | - |
| dc.date.available | 2021-03-17T06:58:11Z | - |
| dc.date.created | 2021-02-26 | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7244 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/11893 | - |
| dc.description.abstract | 본 연구에서는, 원자막증착법(ALD) 공정으로 증착된 SnO2 촉매를 AlGaN/GaN 이종접합 FET에 적용하여 NO2 가스 검출이 가능한 것을 확인하였다. AlGaN/GaN-on-si 플랫폼에서 제작 된 HFET 센서로 NO2 100 ppm 에 대하여 In-situ SiN이있는 소자와 없는 소자가 각각 100 ℃, 200 ℃에서 10.1 % 및 17.7 %, 5.5 % 및 38 % 의 감지성능을 확인하였다. | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국전기전자학회 | - |
| dc.title | 원자막증착법(ALD) SnO2 촉매를 적용한AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO2 가스센서 | - |
| dc.title.alternative | NO2 gas sensor using an AlGaN/GaN Heterostructure FET with SnO2 catalyst deposited by ALD technique | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김형탁 | - |
| dc.identifier.doi | 10.7471/ikeee.2020.24.4.1117 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자학회논문지, v.24, no.4, pp.1117 - 1121 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기전자학회논문지 | - |
| dc.citation.title | 전기전자학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 24 | - |
| dc.citation.number | 4 | - |
| dc.citation.startPage | 1117 | - |
| dc.citation.endPage | 1121 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART002672821 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Atomic layer deposition (ALD) | - |
| dc.subject.keywordAuthor | SnO2 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | AlGaN/GaN HFET | - |
| dc.subject.keywordAuthor | NO2 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Sensitivity | - |
| dc.subject.keywordAuthor | In-situ SiN | - |
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